MD150CS-ICP - установка травления материалов с использованием индуктивно-связанной плазмы ICP
MD150CS-ICP Minder - это установка высокоскоростного и высокоточного травления материалов с использованием индуктивно-связанной плазмы от китайского производителя Minder Hightech. Размер образца до 6".
ПРИМЕНЕНИЕ
Травление кварца/кремния/решетки: Использование маски BR для травления кварцевых или кремниевых материалов позволяет получить рисунок решетки с самой тонкой линией до 300 нм, а крутизна боковой стенки рисунка близка к > 89°, что может применяться в 3D-дисплеях, микрооптических устройствах, оптоэлектронной связи и т. д.;Травление компаунда / полупроводников: Точный контроль температуры поверхности образца позволяет хорошо контролировать морфологию травления материалов на основе GaN, GaAs, InP и металлических материалов. Подходит для устройств с синими светодиодами, лазеров, оптической связи и других применений;
Травление материалов на основе кремния: Подходит для травления материалов на основе кремния, таких как Si, SiO2 и SiNx. Может осуществлять травление линий кремния толщиной более 50 нм и травление глубоких отверстий кремния менее 100 мкм.
Тип установки: отдельно-стоящая
Размер образца: <15,24 см (6 ")
Размеры установки: 1455 мм*800мм*1360мм
Мощность RF источника плазмы: 0~1000Вт / 2000Вт / 3000Вт / 5000Вт/ Регулируемая, автоматическая подстройка\13.56 МГц/27 МГц
Источник питания BRF: 0~300Вт / 0~500Вт / 0~1000Вт/Регулируемая, автоматическая подстройка, 2 МГц/13,56 МГц
Молекулярный насос: коррозионно-стойкий 600 /1300 (л/с) /Пользов.
Форвакуумный насос: механический насос/сухойнасос
Насоспредварительной откачки: механический насос/сухой насос
Давление процесса: неконтролируемое давление / 0.1 / 1 / 10 Торр контролируемое давление
Типы используемых газов: H2 / CH4 / O2 / N2 / Ar / SF6 / CF4 /CHF3 / C4F8 / NF3 / NH3 / C2F6/ Cl2 /BCl3 /HBr Пользовательский (До 12 каналов)
Диапазон потоков регуляторов расхода газ: 0~ 5см 3 / 50см 3 / 100см 3 / 200см 3 /300см3 / 500см 3 / 1000см 3 / пользовательский
Блокировка загрузки (шлюзовая камера): да/нет
Контроль температуры образца: -30°C~200°C/Custom
Система обратного гелиевого охлаждения: да
Футеровка процессной камеры: да
Контроль температуры стенок камеры: комн.темп.~ 60 / 120°C
Система управления: автоматическая/пользователь
Материал для травления: На основе кремния: Si / SiO2 / SiNХ / SiC… III-V: InP / GaAs / GaN... IV-IV: SiC II-VI: CdTe... Магнитные материалы / сплавы Металлический материал: Ni /Cr / Al / Au... Органический материал: PR / PMM
lwh: 1000x1000x1500
c политикой конфиденциальности
