Minder FA-DSE-RIE - установка плазмохимического послойного травления полупроводниковых структур
Установка плазмохимического травления Minder FA-DSE-RIE предназначена для обработки различных диэлектриков – оксид кремния, поликремний, нитрид кремния.
Представляет собой корпус, внутри которого находятся турбомолекулярный насос, контроллер температуры, 5 контроллеров потока газа (MFC) и управляющая рабочая станция.
ПРЕИМУЩЕСТВА И ОСОБЕННОСТИ
- Установка может использоваться для любых процессов плазмохимического травления с использованием фторных газов и кислорода;
- Все компоненты системы сосредоточены в едином блоке.
ПРИМЕНЕНИЕ
Система применяется в исследовательских лабораториях по микроэлектронике для травления, в изучении полупроводниковых и микроэлектронных приборов.
Тип установки: Отдельно-стоящая
Процессная камера из анодированного алюм: Наличие
Размеры процессной камеры: Внутренний диаметр 290 мм, высота 120 мм
Столик образцов: Диаметр 190 мм
Максимальный размер пластины: Диаметр 150 мм
Источник плазмы: Наличие
Частота источника плазмы: 13.56 МГц
Максимальная мощность источника плазмы: 300 Вт
Возможность регулировки мощности источни: 1 Вт
Устройство автоматического согласования: Наличие
Клапан для автоматического контроля давл: Наличие
Остаточное давление, обеспечиваемое отка: 5*10^-4 Па
Производительность турбомолекулярного на: 610 литров в секунду
Скорость вращения турбины в турбомолекул: 26 000 оборотов в минуту
Производительность форвакуумного насоса: 40 кубических метров в час
Тип изолирующих клапанов: Пневматические
Высоковакуумный клапан: С электрическим управлением
Количество регуляторов расхода газа: 4 шт.
Диапазон потоков, при которых работают р: от 0 до 300 стандартных кубических сантиметров в минуту
Управляющая рабочая станция: Наличие
Модуль управления на основе тачскрина: Наличие
Диагональ тачскрина: 15 дюймов
Алюминиевая крепежная внутренняя рама: Наличие
Система контроля уровней доступа (пользо: Наличие
Режим отображения статуса установки в ре: Наличие
Режимы одноэтапного травления: Наличие
Режим травления в несколько шагов: Наличие
Типы используемых газов: CF4, O2, Ar, SF6, N2 и другие
Контролируемый температурный диапазон: От 10 градусов Цельсия до комнатной
Точность контроля температуры образца: ± 1 градус Цельсия
Система водяного охлаждения столика обра: Наличие
Максимальная скорость травления SiO2: 50 нм в минуту
Шероховатость поверхности после травлени: 3 нм
Портативная компактная газовая система д: Наличие
lwh: 1000x1000x1500
c политикой конфиденциальности
